參數(shù)資料
型號(hào)： AP2330GN-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 1.7 A, 90 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： AP2330GN-HF
AP2330GN-HF
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. Normalized BVDSS v.s. Junction
Fig 4. Normalized On-Resistance
Temperature
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
0
2
4
6
8
10
01234
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T A =25
o C
10V
8.0V
7.0V
6.0V
V G = 5.0V
0
1
2
3
4
5
6
01
234
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T A = 150
o C
10V
8.0V
7.0V
V G = 6.0V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D = 1.5 A
V G =10V
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
BV
DSS
(V
)
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PDF描述
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