參數(shù)資料
型號(hào)： AP4455GEH-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 30 V, 0.021 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： AP4455GEH-HF
AP4455GEH-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
400
800
1200
1600
2000
1
5
9
131721
2529
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0
2
4
6
8
10
0
10
203040
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D = - 18 A
V DS = - 24 V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.0
0.1
0.2
DUTY=0.
SINGLE PULSE
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
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PDF描述
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