參數(shù)資料
型號(hào)： AP4519GED
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 6.2 A, 35 V, 0.032 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/7頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： AP4519GED
AP4519GED
P-Channel
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
7/7
0
4
8
12
16
0
5
10
15
20
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =-5A
V DS =-25V
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=90
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0
10
20
30
0246
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =-5V
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
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PDF描述
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