參數(shù)資料
型號： AP4936GM
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 5.8 A, 25 V, 0.037 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： AP4936GM
AP4936GM
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
5/6
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C )
V
GS
(t
h
)(V
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rce
Voltage
(
V
)
I D =5A
V DS =16V
10
100
1000
1
5
9
131721
2529
V DS (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V SD (V)
I
S(A
)
Tj=25
o C
Tj=150
o C
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