參數(shù)資料
型號(hào)： AP4961GM
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 7 A, 20 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 58K
代理商： AP4961GM
AP4961GM
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0
800
1600
2400
3200
1
5
9
13
17
21
25
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
0
1020
3040
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =-7A
V DS =-10V
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=135
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =-5V
Operation in this area
limited by RDS(ON)
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