參數(shù)資料
型號(hào)： AP55T10GH-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 56 A, 100 V, 0.0165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： AP55T10GH-HF
AP55T10GH-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
0
2
4
6
8
10
12
0
20
406080
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D = 40A
V DS =80V
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
0
1000
2000
3000
4000
5000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
10us
100us
1ms
10ms
100ms
DC
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP55T10GP-HF 56 A, 100 V, 0.0165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP562-F 3300 MHz - 3800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AP60L02GH 50 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP60L02GJ 50 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP60T03GI 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AP55T10GI-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP55T10GP-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP55T10GS-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP5602 制造商:Schneider Electric 功能描述:APC - Bulk
AP561 功能描述:射頻放大器 2300-2900MHz 12dB RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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