參數資料
型號： AP561-F
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 放大器
英文描述： 2300 MHz - 2900 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： 6 X 5 MM, GREEN, MO-229VJGC, DFN-14
文件頁數： 3/15頁
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代理商： AP561-F
Specifications and information are subject to change without notice
TriQuint Semiconductor Inc
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Page 11 of 15 April 2010
AP561
0.7-2.9 GHz 8W Power Amplifier
Icc vs. Output Average Power vs. Vcc
Freq = 2.6GHz, T = 25C
200
400
600
800
20
22
24
26
28
30
32
34
Output Power (dBm)
Icc
(mA)
+8V
+10V
+12V
+14V
Efficiency vs. Output Average Power vs. Vcc
Freq = 2.6GHz , T = 25C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20
22
24
26
28
30
32
34
Output Power (dBm)
C
o
ll
ect
o
rE
ff
ici
en
cy
(
%
)
+8V
+10V
+12V
+14V
EVM vs. Output Average Power vs. Vcc
Freq = 2.6GHz, T = 25C
0
1
2
3
4
5
20
22
24
26
28
30
32
34
Output Power (dBm)
EVM
(
%
)
+8V
+10V
+12V
+14V
OIP3 vs. Output Power / Tone
30
35
40
45
50
55
22
24
26
28
30
32
Output Power/Tone (dBm)
OIP3
(
d
Bm)
2.5GHz
2.6GHz
2.7GHz
IMD3 vs. Output Power / Tone
-55
-50
-45
-40
-35
-30
20
22
24
26
28
30
Output Power/Tone (dBm)
IM
D3
(
d
Bc)
2.5GHz
2.6GHz
2.7GHz
Power Gain vs Temperature
10
11
12
13
14
-50
-30
-10
10
30507090
Temperature (°C)
Ga
in
(d
B
)
2.5 GHz
2.6 GHz
2.7 GHz
0
1
2
3
4
2.5
2.55
2.6
2.65
2.7
EVM
(
%
)
Frequency (GHz)
EVM vs. Frequency
Pout=30dBm
+25°C
-40°C
+85°C
EVMvs. Output Average Power
0
1
2
3
4
20
22
24
26
28
30
32
Output Power (dBm)
EVM
(
%
)
2.5 GHz
2.6 GHz
2.7 GHz
相關PDF資料
PDF描述
AP603-F 800 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APDS-9120-020 PROXIMITY SENSOR-PHOTOELECTRIC, 1.25-2.55V, SQUARE, SURFACE MOUNT
APM4220KAC-TRG 13 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012BA
APS3603RS26Q1 50 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER
APT-10566 4500 MHz - 10500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
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