- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄57942 > AP6982GM (ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP) 30 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AP6982GM |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | AP6982GM |
CH-1 Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
30
-
V
ΔBV
DSS/ΔTj
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25℃, ID=1mA
-
0.03
-
V/℃
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=10V, ID=8A
-
15
18
mΩ
VGS=4.5V, ID=6A
-
23
30
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
1
-
3
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=10V, ID=8A
-
12
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current (Tj=25
oC)
VDS=30V, VGS=0V
-
1
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=70
oC)
VDS=24V, VGS=0V
-
25
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=±25V
-
±100
nA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=8A
-
14
22
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=24V
-
4
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
8
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=15V
-
12
-
ns
tr
Rise Time
ID=1A
-
7
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=10V
-
25
-
ns
tf
Fall Time
RD=15Ω
-9
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
1050
1680
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=25V
-
240
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
165
-
pF
Rg
Gate Resistance
f=1.0MHz
-
1.6
2.4
Ω
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=1.7A, VGS=0V
-
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
2
IS=8A, VGS=0V
-
23
-
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/s
-
15
-
nC
AP6982GM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP70T03AH | 60 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP70T03AJ | 60 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP72T03GI-HF | 62 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AP72T03GP | 65 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AP83T03GJ-HF | 75 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP6982M | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP6C60CA | 功能描述:BREAKER PANEL CHASSIS/ALARM RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 配件 系列:- 標準包裝:1 系列:- 附件類型:基座 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 其它名稱:UAK-BE/L6 |
| AP6C60PC | 功能描述:BREAKER PANEL E/W 5X25A RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 配件 系列:- 標準包裝:1 系列:- 附件類型:基座 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 其它名稱:UAK-BE/L6 |
| AP6C64AA | 功能描述:BREAKER PANEL (4)20X25A 48V RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 配件 系列:- 標準包裝:1 系列:- 附件類型:基座 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 其它名稱:UAK-BE/L6 |
| AP6C66PC | 功能描述:MODULE ALARM SPARE RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 配件 系列:- 標準包裝:1 系列:- 附件類型:基座 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 其它名稱:UAK-BE/L6 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。