參數(shù)資料
型號(hào)： AP70U02GH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： AP70U02GH
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
25
-
V
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=10V, ID=40A
-
9
mΩ
VGS=4.5V, ID=30A
-
15
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
1
-
3
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=10V, ID=40A
-
39
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=25V, VGS=0V
-
1
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS= ±20V
-
±100
nA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=40A
-
18.5
30
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=20V
-
3.7
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
12.1
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=15V
-
8.3
-
ns
tr
Rise Time
ID=40A
-
102
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=10V
-
24
-
ns
tf
Fall Time
RD=0.375Ω
-12
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
1360
2180
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=25V
-
202
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
198
-
pF
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=30A, VGS=0V
-
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
2
IS=20A, VGS=0V,
-
30
-
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/s
-
25
-
nC
Notes:
1.Pulse width limited by max. junction temperature.
2.Pulse test
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AP70U02GH
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PDF描述
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AP7115-12SEG-7 功能描述:低壓差穩(wěn)壓器 - LDO LDO SINGLE OUTPUT 150mA 220mV 2.5-5.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動(dòng)電壓（最大值）:307 mV 輸出電流:1 A 負(fù)載調(diào)節(jié):0.3 % 輸出端數(shù)量: 輸出類型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20
AP7115-12WG-7 功能描述:低壓差穩(wěn)壓器 - LDO LDO 220MV 2.5V-5.5V 150MA 1.2V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動(dòng)電壓（最大值）:307 mV 輸出電流:1 A 負(fù)載調(diào)節(jié):0.3 % 輸出端數(shù)量: 輸出類型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20
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