參數(shù)資料
型號(hào)： AP88N30W
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 48 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 96K
代理商： AP88N30W
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Maximum Drain Current v.s.
Fig 12. Gate Charge Waveform
Case Temperature
4
AP88N30W
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS = 150 V
V DS = 180 V
V DS = 240 V
I D =30 A
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
1
10
100
1000
10000
1
6
11
16
21
26
31
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
T c , Case Temperature (
o C )
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
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