參數(shù)資料
型號(hào)： AP9T19GH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： AP9T19GH
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9T19GH/J
td(on) tr
td(off)t
f
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10203040
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
Gate
to
S
o
u
rc
eV
oltage
(
V
)
I D =20A
V DS =6V
V DS =8V
V DS =10V
100
1000
10000
15
9
13
17
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
No
rm
a
lized
T
h
erm
a
lResp
o
n
se
(
R
thjc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APL501P 43 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10011R5KN 1.5 A, 1000 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT10023JLL 36 A, 1000 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1004RKN 3.6 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT1004R2KN 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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APA04A03 功能描述:CONV DC-DC 20W 3.3/4VIN 5V BOOST RoHS:是 類別:電源 - 板載 >> DC DC Converters 系列:APA04 設(shè)計(jì)資源:VI-200, VI-J00 Design Guide, Appl Manual 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* 類型:隔離 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小）:55V 電壓 - 輸入（最大）:100V Voltage - Output 1:15V Voltage - Output 2:- Voltage - Output 3:- 電流 - 輸出（最大）:* 電源（瓦） - 制造商系列:200W 電壓 - 隔離:* 特點(diǎn):* 安裝類型:通孔 封裝/外殼:9-FinMod 尺寸/尺寸:4.60" L x 1.86" W x 0.79" H（116.8mm x 47.2mm x 20.1mm） 包裝:散裝 工作溫度:-55°C ~ 85°C 效率:* 電源（瓦特）- 最大:*
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