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參數(shù)資料
| 型號： | APA1000-FG896I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 144/178頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA PROASIC+ 1M 896-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 27 |
| 系列： | ProASICPLUS |
| RAM 位總計(jì)： | 202752 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 642 |
| 門數(shù)： | 1000000 |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 896-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 896-FBGA（31x31） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁當(dāng)前第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁
ProASICPLUS Flash Family FPGAs
2- 58
v5.9
Asynchronous SRAM Read, Address Controlled, RDB=0
Asynchronous SRAM Read, RDB Controlled
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-31 Asynchronous SRAM Read, Address Controlled, RDB = 0
Table 2-55 TJ = 0°C to 110°C; VDD = 2.3 V to 2.7 V for Commercial/Industrial
TJ = –55°C to 150°C, VDD = 2.3 V to 2.7 V for Military/MIL-STD-883B
Symbol txxx
Description
Min.
Max.
Units
Notes
ACYC
Read cycle time
7.5
ns
OAA
New DO access from RADDR stable
7.5
ns
OAH
Old DO hold from RADDR stable
3.0
ns
RPAA
New RPE access from RADDR stable
10.0
ns
RPAH
Old RPE hold from RADDR stable
3.0
ns
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-32 Asynchronous SRAM Read, RDB Controlled
RPE
DO
RADDR
tOAH
tRPAH
tOAA
tRPAA
tACYC
RB=(RDB+RBLKB)
RPE
DO
tORDH
tORDA
tRPRDA
tRDML
tRDCYC
tRDMH
tRPRDH
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