ProASICPLUS Flash Family FPGAs 2- 22 v5.9 Note: Each RAM block contains a mul" />
參數(shù)資料
型號(hào)： APA150-PQ208I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 105/178頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA PROASIC+ 150K 208-PQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： ProASICPLUS
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 158
門數(shù)： 150000
電源電壓： 2.3 V ~ 2.7 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 208-BFQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 208-PQFP（28x28）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)當(dāng)前第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)
ProASICPLUS Flash Family FPGAs
2- 22
v5.9
Note: Each RAM block contains a multiplexer (called DMUX) for each output signal, increasing design efficiency. These DMUX cells do not
consume any core logic tiles and connect directly to high-speed routing resources between the RAM blocks. They are used when
RAM blocks are cascaded and are automatically inserted by the software tools.
Figure 2-18 Example SRAM Block Diagrams
Table 2-14 Memory Block SRAM Interface Signals
SRAM Signal
Bits
In/Out
Description
WCLKS
1
In
Write clock used on synchronization on write side
RCLKS
1
In
Read clock used on synchronization on read side
RADDR<0:7>
8
In
Read address
RBLKB
1
In
Read block select (active Low)
RDB
1
In
Read pulse (active Low)
WADDR<0:7>
8
In
Write address
WBLKB
1
In
Write block select (active Low)
DI<0:8>
9
In
Input data bits <0:8>, <8> can be used for parity In
WRB
1
In
Write pulse (active Low)
DO<0:8>
9
Out
Output data bits <0:8>, <8> can be used for parity out
RPE
1
Out
Read parity error (active High)
WPE
1
Out
Write parity error (active High)
PARODD
1
In
Selects odd parity generation/detect when High, even parity when Low
Note: Not all signals shown are used in all modes.
SRAM
(256x9)
DI <0:8>
DO <0:8>
RADDR <0:7>
WADDR <0:7>
WRB
RDB
WBLKB
RBLKB
WCLKS
RCLKS
RPE
PARODD
DI <0:8>
WADDR <0:7>
WRB
WBLKB
PARODD
WPE
SRAM
(256x9)
DI <0:8>
DO <0:8>
WADDR <0:7>
WRB
RDB
WBLKB
RBLKB
WCLKS
RPE
PARODD
WPE
RADDR <0:7>
PARODD
DI <0:8>
DO <0:8>
RADDR <0:7>
WADDR <0:7>
WRB
RDB
WBLKB
RBLKB
RCLKS
RPE
WPE
DO <0:8>
RADDR <0:7>
RDB
RBLKB
RCLKS
RPE
Sync Write
and
Sync Read
Ports
Async Write
and
Async Read
Ports
Sync Write
and
Async Read
Ports
Async Write
and
Sync Read
Ports
SRAM
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SRAM
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PDF描述
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