- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄36699 > APT1001R6BN-BUTT 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT1001R6BN-BUTT |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | APT1001R6BN-BUTT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT901R6BN-GULLWING | 8 A, 900 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT901R6BN-BUTT | 8 A, 900 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R6BN-GULLWING | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R6BN | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1001R6SLL | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT1001R6SFLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
| APT1001R6SFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT1001RAN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-3 |
| APT1001RBLC | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
| APT1001RBN | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。