• 參數(shù)資料
    型號(hào)： APT1003RBFLL
    廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
    元件分類(lèi)： JFETs
    英文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
    封裝： TO-247, 3 PIN
    文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
    文件大小： 102K
    代理商： APT1003RBFLL
    050-7110
    Rev
    A
    1-2004
    MAXIMUM RATINGS
    All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
    CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
    APT Website - http://www.advancedpower.com
    G
    D
    S
    Power MOS 7
    is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
    enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching
    losses are addressed with Power MOS 7
    by significantly lowering R
    DS(ON)
    and Q
    g. Power MOS 7
    combines lower conduction and switching losses
    along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's
    patented metal gate structure.
    POWER MOS 7
    R
    FREDFET
    Lower Input Capacitance
    Increased Power Dissipation
    Lower Miller Capacitance
    Easier To Drive
    Lower Gate Charge, Qg
    TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
    FAST RECOVERY BODY DIODE
    Characteristic / Test Conditions
    Drain-Source Breakdown Voltage (V
    GS
    = 0V, I
    D
    = 250A)
    Drain-Source On-State Resistance 2
    (V
    GS
    = 10V, 2A)
    Zero Gate Voltage Drain Current (V
    DS
    = 1000V, V
    GS
    = 0V)
    Zero Gate Voltage Drain Current (V
    DS
    = 800V, V
    GS
    = 0V, T
    C
    = 125°C)
    Gate-Source Leakage Current (V
    GS
    = ±30V, V
    DS
    = 0V)
    Gate Threshold Voltage (V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 1mA)
    Symbol
    V
    DSS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    V
    GSM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    STG
    T
    L
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    Parameter
    Drain-Source Voltage
    Continuous Drain Current @ TC = 25°C
    Pulsed Drain Current
    1
    Gate-Source Voltage Continuous
    Gate-Source Voltage Transient
    Total Power Dissipation @ TC = 25°C
    Linear Derating Factor
    Operating and Storage Junction Temperature Range
    Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
    Avalanche Current
    1
    (Repetitive and Non-Repetitive)
    Repetitive Avalanche Energy
    1
    Single Pulse Avalanche Energy
    4
    UNIT
    Volts
    Amps
    Volts
    Watts
    W/°C
    °C
    Amps
    mJ
    STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
    Symbol
    BV
    DSS
    R
    DS(on)
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS(th)
    UNIT
    Volts
    Ohms
    A
    nA
    Volts
    MIN
    TYP
    MAX
    1000
    3.00
    250
    1000
    ±100
    35
    APT1003RBFLL_SFLL
    1000
    4
    16
    ±30
    ±40
    139
    1.11
    -55 to 150
    300
    4
    10
    425
    APT1003RBFLL
    APT1003RSFLL
    1000V 4A 3.00
    TO-247
    D3PAK
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    PDF描述
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    APT1003RBFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
    APT1003RBLL 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 MOSFET
    APT1003RBLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
    APT1003RKFLL 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET
    APT1003RKFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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