參數(shù)資料
型號(hào)： APT1004RGN
元件分類： JFETs
英文描述： 3.3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 50K
代理商： APT1004RGN
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
10.67 (.420)
10.41 (.410)
5.33 (.210)
5.20 (.205)
19.05 (.750)
12.07 (.500)
10.92 (.430)
10.41 (.410)
.889 (.035) Dia. 3-Plcs.
.635 (.025)
2.54 (.100) BSC
5.08 (.200)
4.83 (.190)
3.05 (.120) BSC
1.14 (.045)
0.89 (.035)
3.81 (.150) Dia.
3.56 (.140)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
16.89 (.665)
16.38 (.645)
13.64 (.537)
13.38 (.527)
TO-257AA Package Outline
APT1004RGN
10
S
100
S
1mS
10mS
100mS
DC
10,000
1,000
100
10
100
50
20
10
5
2
1
5
10
50 100
500 1000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
050-0019
Rev
B
15
10
5
1
0.5
0.1
20
16
12
8
4
0
I
D
= I
D
[Cont.]
TJ =+150°CTJ =+25°C
VDS=500V
VDS=200V
VDS=100V
Crss
Ciss
Coss
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
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PDF描述
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