參數(shù)資料
型號： APT100GF60B2R
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： APT100GF60B2R
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
AP9971AGM
10
100
1000
10000
1
5
9
1317
2125
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
Ciss
Crss
Coss
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS =30V
V DS =36V
V DS =48V
I D =5A
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
Single Pulse
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
t
T
Rthja = 135℃/W
0.02
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PDF描述
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