參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT60B2R
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： APT100GT60B2R
052-6297
Rev
B
6
-
2010
Typical Performance Curves
APT100GT60B2R_LR(G)
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
V
O
LT
A
GE
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I
C,
DC
COLLECT
OR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE
= 480V
V
CE
= 300V
V
CE
= 120V
I
C
= 100A
T
J
= 25°C
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
300
250
200
150
100
50
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
TC = 125°C
12, 13, &15V
10V
9V
8V
7V
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
V
GE = 15V.
250s
PULSE TEST <0.5 %
DUTY CYCLE
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
0
100
200
300
400
500
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TC = 25°C
TC = -55°C
V
GE
= 15V
6V
TC = 25°C
TC = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT106N60B2C6 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M07JVR 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M09B2VFRG 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M09LVFR 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GT60B2RG 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT100GT60JR 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60JRDL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
APT100GT60JRDQ4 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60LR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*