參數(shù)資料
型號(hào): APT17M120JCU2
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: JFETs
英文描述: 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 109K
代理商: APT17M120JCU2
APT17M120JCU2
APT
17M
120JCU2
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
4- 5
Low Voltage Output Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
VGS=10V
Low Voltage Output Characteristics
4.5V
5V
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
TJ=125°C
VGS=6, 7,8 & 9V
Normalized RDS(on) vs. Temperature
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
on
,
Drai
n
to
S
o
urce
ON
re
si
stan
ce
VGS=10V
ID=12A
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
5
10
15
20
01
234
56
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5
duty cycle
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Gate Charge vs Gate to Source
VDS=240V
VDS=600V
VDS=960V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
240
280
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
to
Sour
c
e
Volt
a
g
e
ID=12A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT17N80CC3 11.5 A, 800 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
APT18H60B 18 A, 600 V, 0.42 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
APT18H60S 18 A, 600 V, 0.42 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT200GN60JDQ4 283 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT200GN60J 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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