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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT20GF120BRDQ1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 464K |
| 代理商： | APT20GF120BRDQ1 |
052-6279
Rev
A
10-2005
APT20GF120B_SRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,THRESHOLD
VOLTAGE
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
6
5
4
3
2
1
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
120
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4
3
2
1
0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
15V
12V
11V
9V
13V
8V 7V
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
VGE = 15V
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
IC = 15A
TJ = 25°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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