參數(shù)資料
型號： APT20GS60SRDQ1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 37 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： D3PAK-3
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 630K
代理商： APT20GS60SRDQ1
Microsemi
5,256,583 4
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-247 Package Outline
D3 Pak Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
C
ol
le
ct
or
(C
at
ho
de
)
Collector (Cathode)
Emitter (Anode)
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018) {3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Collector)
and Leads (Cathode)
are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
D
ra
in
(Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Collector (Cathode)
Emitter (Anode)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/18/95
APT20GS60B_SRDQ1(G)
052-6304
Rev
A
8-2007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20GS60KR(G) 37 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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