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參數(shù)資料
| 型號： | APT25GN120B2DQ2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | T-MAX, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | APT25GN120B2DQ2 |
050-7603
Rev
B
10-2005
APT25GN120B2DQ2(G)
TJ = 125°C
VR = 800V
20A
40A
80A
600
500
400
300
200
100
0
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
TJ = 125°C
VR = 800V
80A
20A
40A
120
100
80
60
40
20
0
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ = 125°C
VR = 800V
80A
40A
20A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GN120B | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GN120BG | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GN120S | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120SG | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT25GN120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT25GN120BG | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT25GN120S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies |
| APT25GN120SG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W D3PAK 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single |
| APT25GP120B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family |
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