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參數(shù)資料
| 型號： | APT25GT120SRG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | APT25GT120SRG |
APT25GT120BR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE
= 0V, I
C
= 1.5mA)
Gate Threshold Voltage
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1mA, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 25A, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 25A, T
j
= 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE
= ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
STG
T
L
APT25GT120BR(G)
1200
±30
54
25
75
75A @ 1200V
347
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C
= 25°C
Continuous Collector Current @ T
C
= 110°C
Pulsed Collector Current
1
Switching Safe Operating Area @ T
J
= 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
G
C
E
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
3.9
100
TBD
120
1200V
APT25GT120BR
APT25GT120BRG*
APT25GT120SR
APT25GT120SRG*
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non- Punch
Through Technology, the Thunderblot IGBT offers superior ruggedness and ultrafast
switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 50KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Thunderbolt IGBT
TO-247
D3PAK
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
052-6268
Rev
C
1
1-2007
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA |
| APT25GT120SR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT26GU30B | 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT26GU30B | 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT26GU30K | 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT25M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:* |
| APT25M100J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT25SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 |
| APT25SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 |
| APT26F120B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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