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參數(shù)資料
| 型號： | APT26RF40BN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | APT26RF40BN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3010BNR-GULLWING | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT30M85BNR-GULLWING | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT3010BNR-BUTT | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT30M85BNR-BUTT | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT30GF60BNU1 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT27 | 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
| APT27GA90BD15 | 功能描述:IGBT 900V 48A 223W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT27GA90K | 功能描述:IGBT 900V 48A 223W TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT27GA90SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT27H | 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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