型號: | APT30GP60BD1 |
英文描述: | Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):49Amps|Ultrafast IGBT Family |
中文描述: | 電壓:600V的室顫/的Vce(on):2.7身份證(續(xù)):四九安培|超快IGBT的家庭 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 53K |
代理商: | APT30GP60BD1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
APT30M30JFLL | Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):88Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT30M30LFLL | Test fixture for 0402 body sizes |
APT30M36B2FLL | Volts:300V RDS(ON)0.036Ohms ID(cont):84Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT30M36JFLL | Volts:300V RDS(ON)0.036Ohms ID(cont):76Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT30M36LFLL | Volts:300V RDS(ON)0.036Ohms ID(cont):84Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
APT30GP60BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT30GP60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT30GP60BG | 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT30GP60JD1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family |
APT30GP60JDQ1 | 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |