參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GP60BD1
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 49 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 523K
代理商： APT30GP60BD1
Advanced Power Technology
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
VCE(ON)
IC2
RqJC
Part
Package
Volt
(25OC)
110OC(OC/watt)
Number
Style
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120K
TO-220
600
2.7
30
0.43
APT15GP60K
TO-220
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120B
TO-247
3.9
36
0.27
APT25GP120B
TO-247
3.9
46
0.23
APT35GP120B
TO-247
3.9
54
0.20
APT45GP120B
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60B
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60B
TO-247
2.7
62
0.23
APT40GP60B
TO-247
2.7
70
0.20
APT50GP60B
TO-247
1200
3.9
61
0.12
APT75GP120B2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60B2
T-MAXTM
2.7
100
0.12
APT80GP60B2
T-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120J
ISOTOP
3.9
34
0.38
APT45GP120J
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120J
ISOTOP
600
2.7
40
0.44
APT40GP60J
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60J
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60J
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60J
ISOTOP
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120BD1
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60BD1
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60BD1
TO-247
1200
3.9
36
0.27
APT25GP120B2D1
T-MAXTM
3.9
46
0.23
APT35GP120B2D2
T-MAXTM
3.9
54
0.23
APT45GP120B2D2
T-MAXTM
600
2.7
62
0.23
APT40GP60B2D1
T-MAXTM
2.7
72
0.20
APT50GP60B2D2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60L2D2
264-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120JD2
ISOTOP
3.9
34
0.44
APT45GP120JD2
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120JD2
ISOTOP
600
2.7
31
0.51
APT30GP60JD1
ISOTOP
2.7
40
0.44
APT40GP60JD1
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60JD2
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60JD2
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60JD3
ISOTOP
Single
TO-220
TO-220[K]
TO-247[B]
T-MAX[B2]
T-Max
ISOTOP[J]
SOT-227
G
E
C
TO-264
Max
264 MAX [L2]
TO-247
Combi (IGBT & FRED)
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PDF描述
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APT40GP60B2D1 62 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT65GP60J 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT65GP60J 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT65GP60L2DF2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT30GP60BG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT30GP60JD1 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family
APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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