參數(shù)資料
型號： APT30GP60BDQ1G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 438K
代理商： APT30GP60BDQ1G
050-7451
Rev
A
5-2005
APT30GP60BDQ1(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
CollectorVoltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT15DQ60
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Collector Current
Collector Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GP60BDQ1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60BDQ1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60JDF1 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GT60AR 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE
APT30GT60KR 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
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