參數(shù)資料
型號(hào)： APT30M85BVR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： APT30M85BVR
MIN
TYP
MAX
70
85
70
160
255
255
7
12
12
20
660
1640
15
20
245
160
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
A/μs
APT30D120BCT
Characteristic
Reverse Recovery Time, I
F
= 1.0A, di
F
/dt
= -15A/μs, V
R
= 30V,
T
J
= 25°C
Reverse Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Reverse Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Recovery Charge
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Voltage
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Rate of Fall of Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V (See Figure 10)
T
J
= 100°C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
diM/dt
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Package Weight
Maximum Mounting Torque (Screw Type = 6-32 or 3mm Machine)
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
0.90
40
0.22
6.1
10
1.1
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
NOTE:
P x Z +
C
J
=
DUTY FACTOR D=t
1 2
PEAK T
P
D
t
2
t
t
1
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0
Z
θ
J
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30M85BVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT33GF120BR Volts:1200V VF/Vce(ON):3.2V ID(cont):33Amps|Fast IGBT Family
APT3507FN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | F-PACK SIP
APT3520AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3
APT3520BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30M85BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT30M85SVFRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
APT30M85SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT30M90AVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT30N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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