- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄36711 > APT33GF120B2RDQ2 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT33GF120B2RDQ2 |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | T-MAX, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | APT33GF120B2RDQ2 |
052-6280
Rev
A
11-2005
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
APT10035BLL
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector (Cathode)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector (Cathode)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50
(.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
2-Plcs.
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
T-MAX (B2) Package Outline
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-264 (L) Package Outline
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT33GF120B2RDQ2 | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT33GF120LRDQ2 | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT33GF120B2RDQ2G | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT33GF120LRDQ2 | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT33H60B | 33 A, 600 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT33GF120B2RDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT33GF120BR | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.2V ID(cont):33Amps|Fast IGBT Family |
| APT33GF120BRG | 功能描述:IGBT 1200V 52A 297W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT33GF120HR | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
| APT33GF120LRD | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。