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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT33GF120BR |
| 英文描述： | Volts:1200V VF/Vce(ON):3.2V ID(cont):33Amps|Fast IGBT Family |
| 中文描述： | 電壓：1200伏室顫/的Vce（on）：3.2V的身份證（續(xù)）：三十三安培|快速IGBT系列 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | APT33GF120BR |
APT33GF120BR
12V
0
C
I
C
,
I
C
,
V
G
,
I
C
,
I
C
,
T
C
=+25°C
T
=+150°C
SINGLE PULSE
250μSec. Pulse Test
V
GE
= 15V
I
C
= I
T
J
= +25°C
f = 1MHz
8V
7V
C
ies
C
res
10V
9V
C
oes
V
GE
=17, 15 & 13V
T
C
=-55°C
T
C
=+25°C
T
C
=+150°C
OLIMITED
BY
V
CE
(SAT)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (T
J
= 25°C)
80
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2, Typical Output Characteristics (T
J
= 150°C)
100
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ V
GE
= 15V
3,000
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
20
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Q
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
R10
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
V
CE
=240V
60
40
20
0
60
40
20
0
1,000
100
10
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.05
D=0.5
0.2
0.01
SINGLE PULSE
Z
θ
J
,
0.1
0.02
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
1
10
100
1200
.01
0.1
1.0
10
50
0
50
100
150
200
250
10
-5
10
-4
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
60
40
20
0
10
1
16
12
8
4
0
V
CE
=960V
V
CE
=600V
11V
12V
8V
10V
9V
7V
V
GE
=17, 15 & 13V
11V
100μs
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3507FN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | F-PACK SIP |
| APT3520AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3 |
| APT3520BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD |
| APT35G50BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| APT35G60BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT33GF120BRG | 功能描述:IGBT 1200V 52A 297W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT33GF120HR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
| APT33GF120LRD | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
| APT33GF120LRDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT & FRED |
| APT33GF120LRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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