參數(shù)資料
型號： APT35GP120B
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 259K
代理商： APT35GP120B
050-7406
Rev
E
12-2006
APT35GP120B(G)
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
T
J = 125 C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
10%
t
f
90%
t
d(off)
Switching
Energy
Collector Voltage
Collector Current
T
J = 125 C
Gate Voltage
Switching Energy
10%
t
r
90%
5%
10%
5 %
t
d(on)
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,5225,262,336 6,503,786
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT30DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT35GP120JDF2 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GT120JU2 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT35GP120J 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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