參數(shù)資料
型號(hào)： APT4020
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述： N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： APT4020
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
R
D
(
-50
-25
0
25
50
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
I
D
,
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
(
R
D
(
I
D
,
(
V
APT4020/4025BN
0
μ
SEC. PULSE TEST
VD230
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
TJ = +125
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = -55
°
C
TJ = -55
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = +125
°
C
4V
4.5V
5V
5.5V
VGS=6V
0
50
100
150
200
250
0
4
8
12
16
20
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
0
APT4020BN
APT4025BN
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
75
100 125 150
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
VGS=10V
2
0
10
6
8
4
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
VGS=20V
VGS=10V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
= 25
°
C
2
μ
SEC. PULSE TEST
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT4020BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4020BVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT4025BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4030 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4030CNR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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參數(shù)描述
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APT4020BN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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