參數(shù)資料
型號(hào)： APT5017
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： APT5017
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
1
5
10
50 100
500
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
350
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
APT5017SVR
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
200
100
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
20,000
10,000
5,000
1,000
500
100
300
100
50
10
5
1
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10
μ
S
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
Coss
Ciss
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
I
D
= I
D
[Cont.]
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
15.95 (.628)
16.05 (.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018)
{3 Plcs}
0.56 (.022)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Drain)
and Leads
are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
D
(
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Drain
Source
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15 (.045)
13.79 (.543)
13.99 (.551)
Revised
4/18/95
D
3
PAK Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5017BLC Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5017BVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5017SLC Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5017BVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5018BFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS
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參數(shù)描述
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