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參數(shù)資料
| 型號： | APT5022BN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | APT5022BN |
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
MIN
TYP
MAX
360
APT5020BN
112
APT5022BN
108
MIN
TYP
MAX
APT5020BN
28
APT5022BN
27
APT5020BN
112
APT5022BN
108
1.3
215
430
860
37
14
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°C
R
G
= 1.8
MIN
TYP
MAX
2890
3500
590
830
230
350
140
210
18
27
75
110
19
38
43
86
85
125
56
112
UNIT
pF
nC
ns
APT5020/5022BN
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Characteristic / Test Conditions / Part Number
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current 1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage 2 (V
GS
= 0V, I
S
= -I
D
[Cont.])
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D
[Cont.], dl
S
/dt = 100A/
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D
[Cont.], dl
S
/dt = 100A/
s)
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
UNIT
Amps
Volts
ns
C
Test Conditions / Part Number
V
DS
= 0.4 V
DSS
, I
DS
= P
D
/ 0.4 V
DSS
, t = 1 Sec.
I
DS
= I
D
[Cont.], V
DS
= P
D
/ I
D
[Cont.], t = 1 Sec.
Symbol
SOA1
SOA2
I
LM
Characteristic
Safe Operating Area
Inductive Current Clamped
UNIT
Watts
Amps
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance Curve. (Fig.1)
2 Pulse Test: Pulse width < 380
S, Duty Cycle < 2%
3 See MIL-STD-750 Method 3471
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
050-5008
Rev
C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(
°C/W)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5020BVFRG | 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5020BVFR | 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5020BVFR | 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5020BVR | 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5020BVR | 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT5022BNF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| APT5022BNFR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
| APT5022BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
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