參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GF120B2R
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 524K
代理商： APT50GF120B2R
052-6216
Rev
E
5-2006
APT50GF120B2_LR(G)
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 800V
R
G = 1.0
L = 100H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(mJ)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(mJ)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
R
G = 1.0, L = 100H, VCE = 800V
V
CE = 800V
T
J = 25°C or 125°C
R
G = 1.0
L = 100H
V
GE = 15V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
R
G = 1.0, L = 100H, VCE = 800V
35
30
25
20
15
10
5
0
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
350
300
250
200
150
100
50
0
120
100
80
60
40
20
0
7
6
5
4
3
2
1
0
25
20
15
10
5
0
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1.0
T
J = 125°C
T
J = 25°C
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1.0
T
J = 125°C
T
J = 25°C
VCE = 800V
VGE = +15V
TJ = 125°C
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1.0
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GF120B2RG 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GF60HR 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258
APT50GN120B2G 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GN120B2 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GN120B2 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GF120JRD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 120A 521W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GF120LR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF120LRG 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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