參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GF60B2RD
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的快速I(mǎi)GBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
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代理商： APT50GF60B2RD
0
EUROPE
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USA
405 S.W. Columbia Street
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FAX: (33) 5 56 4797 61
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Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
APT50GF60B2RD/LRD
PRELIMINARY
Power dissipation
P
tot
=
(T
C
)
parameter: T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
40
80
120
160
200
240
W
320
P
tot
Collector current
I
C
=
(T
C
)
parameter: V
GE
≥
15 V , T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
10
20
30
40
50
60
A
80
I
C
Safe operating area
I
C
=
(V
CE
)
parameter: D= 0, T
C
= 25°C , T
j
≤
150 °C
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 μs
10 μs
tp = 2.9μs
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(t
p
)
parameter: D = t
p
/ T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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