參數(shù)資料
型號： APT50GF60HR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： 該快速IGBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 82K
代理商： APT50GF60HR
0
APT50GF60BR
T0-247 Package Outline
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15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
C
(
D.U.T.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
V
CC
= 0.66 V
CES
E
ts
= E
on
+ E
off
V
CE
(on)
t
d
(off)
t
d
(on)
t
f
t
r
1
Figure 16, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 17, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
V
CC
50 F
600V
R
G
= 10 Ohms
R
L
=
.66 V
CES
I
C2
10%
90%
V
GE
(on)
V
CE
(off)
V
GE
(off)
2
I
C
1
From
Gate Drive
Circuitry
0.1 F
1KV
D.U.T.
100uH
A
A
V
CC
I
C
Induco
I
C
D.U.T. V
CE
(SAT)
V
CC
V
CLAMP
90%
10%
90%
10%
10%
90%
E
off
t
f
t
d
(off)
t
d
(on)
t
r
E
on
10
10
DRIVER*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GF60LRD Thin Film RF/Microwave Capacitor; Capacitance:3.9pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.1 pF; Working Voltage, DC:50V; Package/Case:0603; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:125 C; Operating Temp. Min:-55 C
APT6015JVFR POWER MOS V FREDFET
APT6020B2VFR POWER MOS V FREDFET
APT6020LVFR POWER MOS V FREDFET
APT6027HVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GF60JCU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Microsemi APT50GF60JCU2 IGBTs
APT50GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GF60LRD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GL60BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
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