參數(shù)資料
型號： APT50GT120JRDQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： APT50GT120JRDQ2
052-6278
Rev
A
9-2005
APT50GT120JRDQ2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT30DQ120
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料
PDF描述
APT50GT120JU2 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120LRDQ2 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120LRDQ2G 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APT50GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT50GT120LR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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APT50GT120LRG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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