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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT5517DN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 550V五（巴西）決策支持系統(tǒng)|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | APT5517DN |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT551R2DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 8A I(D) | CHIP |
| APT551R3DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP |
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| APT55M90DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP |
| APT60-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17.5A I(D) | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT5518BFLL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:550V RDS(ON)0.18Ohms ID(cont):31Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
| APT5518BFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT5518SFLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET |
| APT551R2AN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-3 |
| APT551R2BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247AD |
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