參數(shù)資料
型號： APT6010B2LL
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TMAX-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： APT6010B2LL
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAXTM (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
Switching Energy
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
Switching Energy
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
90%
t
f
90%
ID
D.U.T.
VDS
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
APT30DF60
050-7051
Rev
E
9-2004
APT6010B2LL_LLL
相關PDF資料
PDF描述
APT6010B2LLG 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6010B2LL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6010LLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT6010LLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT6010B2LLG 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT6010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6010JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:*
APT6010JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:*
APT6010LFLL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR
APT6010LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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