參數(shù)資料
型號(hào)： APT6029BLL
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 164K
代理商： APT6029BLL
050-7054
Rev
D
9-2004
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
5 %
10 %
5 %
Switching Energy
10 %
t
d(on)
90%
t
r
TJ = 125 C
APT6029BLL_SLL
90%
t
d(off)
Gate Voltage
Drain Voltage
Drain Current
T
J
= 125 C
10%
90%
tf
Switching Energy
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
TO-247 Package Outline
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018) {3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Drain)
and Leads
are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
Drain (Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Drain
Source
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/18/95
D
3PAKPackageOutline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
ID
D.U.T.
VDS
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
APT15DF60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6029BLLG 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT6029BLL 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT6029SLL 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6029SLL 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6029SLLG 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APT6029BLL_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6029BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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APT6029SLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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