參數(shù)資料
型號(hào)： APT6030BN
元件分類： JFETs
英文描述： 23 A, 600 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： APT6030BN
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
TO-247AD Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
050-6008
Rev
B
1
5
10
50 100
500 1000
0
10
20
30
40
50
0
40
80
120
160
200
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
APT6030/6033BN
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
100
10
1
.1
20
16
12
8
4
0
10,000
5,000
1,000
500
100
200
100
50
20
10
5
2
1
Ciss
VDS=300V
VDS=120V
VDS=480V
TJ =+150°CTJ =+25°C
Crss
Coss
10
S
100
S
1mS
10mS
100mS
DC
APT6030BN
APT6033BN
APT6030BN
APT6033BN
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
I
D
= I
D
[Cont.]
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PDF描述
APT6035BVR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6035BVRG 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6035BVR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6035SVFR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6035SVFR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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