參數(shù)資料
型號(hào)： APT6035BN
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述： N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： APT6035BN
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
APT6035AVR
0
1
5
10
50 100
600
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
70
10
5
1
0.5
0.1
20
16
12
8
4
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
Coss
Ciss
15,000
10,000
5,000
1,000
500
100
100
50
10
5
1
VDS=120V
VDS=480V
I
D
= I
D
[Cont.]
10
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
VDS=300V
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
TO-3 (TO-204AE) Package Outline
22.23 (.875) Max.
6.35 (.250)
9.15 (.360)
Drain
(Case)
Source
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Seating
Plane
7.92 (.312)
12.70 (.500)
1.52 (.060)
3.43 (.135)
1.47 (.058)
1.60 (.063)
(2-Places)
16.64 (.655)
17.15 (.675)
29.90 (1.177)
30.40 (1.197)
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
25.15 (0.990)
26.67 (1.050)
10.67 (.420)
11.18 (.440)
5.21 (.205)
5.72 (.225)
3.84 (.151)
4.09 (.161)
(2-Places)
Gate
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6035BVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6035 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6035SVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6035BVFR POWER MOS V FREDFET
APT6035SVFR POWER MOS V FREDFET
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