參數(shù)資料
型號(hào)： APT6039SNR
元件分類： JFETs
英文描述： 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 157K
代理商： APT6039SNR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6040AN 15.5 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
APT5540AN 15.5 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
APT5545AN 14.5 A, 550 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
APT6045AN 14.5 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
APT6040SVFR 16 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT6040 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6040AN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3
APT6040BN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
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