參數(shù)資料
型號: APT6040BN
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述: N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: APT6040BN
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
R
D
(
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
I
D
,
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
(
R
D
(
I
D
,
(
V
0
APT6040/6045BN
μ
SEC. PULSE TEST
VD230
TJ = -55
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = +125
°
C
TJ = +125
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = -55
°
C
VGS=20V
VGS=10V
4.5V
4V
5V
5.5V
6V
VGS=10V
4V
150
4.5V
5V
5.5V
VGS=6V
0
0
50
100
200
2 5 0
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
0
10
0
10
20
30
40
50
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
2 4 6 8
20
25
50
75
100
125
150
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.5
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
4
8
12
16
20
5
0
10
15
APT6045BN
APT6040BN
2
4
6
8
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
T
= 25
°
C
2
μ
SEC. PULSE TEST
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
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PDF描述
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參數(shù)描述
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
APT6040BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6040BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6040BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V