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參數(shù)資料
| 型號： | APT63H60L |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 63 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 261K |
| 代理商： | APT63H60L |
VGS= 7&8V
4.5V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
VGS = 10V
5.5V
6V
5V
V
DS> ID(ON) x RDS(ON) MAX.
250SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 33A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
C
oss
C
iss
I
D = 33A
V
DS = 480V
V
DS = 120V
V
DS = 300V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 150°C
T
J = 25°C
TJ = 125°C
T
J = 150°C
C
rss
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(V)
g fs
,TRANSCONDUCTANCE
R
DS(ON)
,DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I SD,
REVERSE
DRAIN
CURRENT
(A)
C,
CAPACITANCE
(pF)
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I D
,DRIAN
CURRENT
(A)
V
DS(ON), DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1, Output Characteristics
Figure 2, Output Characteristics
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3, RDS(ON) vs Junction Temperature
Figure 4, Transfer Characteristics
I
D, DRAIN CURRENT (A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5, Gain vs Drain Current
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
-55 -25
0
25
50
75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
100
200
300
400
500
600
0
100
200
300
400
500
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
250
200
150
100
50
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
100
80
60
40
20
0
250
200
150
100
50
0
20,000
10,000
1000
100
10
250
200
150
100
50
0
APT63H60B2_L
050-8148
Rev
A
6-2007
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT64GA90S | 117 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JD2 | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60JD3 | 68 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GP60BD1 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP120B2D1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT64GA90B | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT64GA90B2D30 | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT64GA90LD30 | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT64GA90S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT65GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 65A I(C) | TO-247 |
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