參數(shù)資料
型號： APT65GP60B2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： APT65GP60B2
0
APT65GP60B2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
TEST
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
CE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
T-MAX
(B2) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Collector
Emitter
C
(
Collector Current
Gate Voltage
Collector Voltage
t
r
10%
90%
5%
t
d(on)
T
J
= 125 C
5 %
Switching Energy
Collector Voltage
Collector Current
T
J
= 125 C
Gate Voltage
t
f
10%
90%
t
d(off)
90%
0
Switching Energy
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
I
C
A
D.U.T.
APT30DF60
V
CE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
V
CC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60JDQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60J POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DF2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT65GP60B2G 功能描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT65GP60J 功能描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT65GP60JDQ2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT65GP60L2DF2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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