參數(shù)資料
型號： APT75GP120B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： APT75GP120B2
050-7424
Rev
B
5-2003
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT75GP120B2
10
30
50
70
90
110
130
150
140
100
50
10
.3
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
20,000
10,000
1,000
500
100
50
10
350
300
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d (on)
r
d( off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.00792
0.0475
0.0656
0.00354F
0.0307F
0.361F
Power
(watts)
Junction
temp (
°C)
RC MODEL
Case temperature (
°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120JDF3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JLL 51 A, 800 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JLL 51 A, 800 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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