參數(shù)資料
型號： APT75GP120JDF3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： APT75GP120JDF3
050-7423
Rev
B
8-2004
APT75GP120JDF3
TJ = 125°C
VR = 800V
30A
60A
120A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
60A
30A
120A
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
60A
120A
30A
500
400
300
200
100
0
50
40
30
20
10
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
400
350
300
250
200
150
100
50
0
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
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PDF描述
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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