參數(shù)資料
型號： APT75GP120JDQ3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 453K
代理商： APT75GP120JDQ3
050-7458
Rev
A
10-2005
APT75GP120JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
250
200
150
100
50
0
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
50
100
150 200
250 300
350
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
IC = 75A
TJ = 25°C
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
VGE = 15V
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 10V
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
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